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J-GLOBAL ID：200902200896576888   整理番号：08A0996293

Si(001)基板上にエピタキシャル成長させた強磁性半導体のGe_1-xFe_x薄膜に関するエピタキシャル成長と磁性

Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Ferromagnetic Semiconductor Ge_1-xFe_x Thin Films Epitaxially Grown on Si(001) Substrates

著者 (3件)： SHUTO Yusuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TANAKA Masaaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGAHARA Satoshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 1  ページ： 7108-7112  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性半導体のGe_1-xFe_x薄膜を低温における分子ビームエピタクシーによってSi(001)基板上に成長させた。0≦x≦17.5%の組成を持つGe_1-xFe_x薄膜の結晶構造はダイヤモンド型で,格子定数はxの増大に伴って単調に減少することが分かった。構造特性には,Fe-Ge相以外の析出は全く検出されなかった。磁気円二色性(MCD)による特性評価から,Ge_1-xFe_x薄膜における強磁性秩序はダイヤモンド型の半導体相に起因することが分かった。明らかな異常Hall効果が観測され,強磁性的な挙動はMCDによる観測結果と矛盾しないことが分かった。Feの組成が増すに伴って,薄膜の抵抗率は単調に減少し,同時にCurie温度は単調に増大することが分かった。全ての実験結果は,Si(001)基板上に成長させたGe_1-xFe_x薄膜が真性の強磁性半導体特性を有することを支持している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム合金 ,  鉄含有合金 ,  *強磁性半導体 ,  *半導体薄膜 ,  磁性薄膜 ,  MBE成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ダイヤモンド型結晶 ,  格子定数 ,  磁気円二色性 ,  磁気秩序 ,  Hall効果 ,  濃度依存性 ,  電気抵抗率 ,  Curie温度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

引用文献 (29件)：

• Y. D. Park, A. T. Hanbicki, S. C. Erwin, C. S. Hellberg, J. M. Sullivan, J. E. Mattson, T. F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, and B. T. Jonker: Science 295(2002)651.
• A. P. Li, J. Shen, J. R. Thompson, and H. H. Weitering: Appl. Phys. Lett.86(2005)152507.
• N. Pinto, L. Morresi, M. Ficcadenti, R. Muni, F. D’Orazio, F. Lucari, L. Boarino, and G. Amato: Phys. Rev. B 72(2005)165203.
• S. Sugahara, K. L. Lee, S. Yada, and M. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005) L1426.
• C. Bihler, C. Jaeger, T. Vallaitis, M. Gjukic, M. S. Brandt, E. Pippel, J. Woltersdorf, and U. Gosele: Appl. Phys. Lett.88(2006)112506.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  エピタキシャル成長 ,  強磁性半導体 ,  薄膜 ,  磁性