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J-GLOBAL ID：201702216453306743   整理番号：17A1623884

蒸発によるSiO_2厚さ分布の変化【Powered by NICT】

Modification of SiO₂ thickness distribution through evaporation

著者 (3件)： Zhang Xiumei (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Gu Xiaofeng (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Xiao Shaoqing (Engineering Research Center of IoT Technology Applications (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 642  ページ： 31-35  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大角度と広い開口をもつSiO_2薄膜の電子ビーム蒸着プロセスは自己遮蔽効果,従来の厚さ分布モデルから外れたにより支配される。本論文では,伝統的なものに基づく修正モデルを開発し,自己遮蔽効果を考慮したSiO_2相対的厚さ分布を計算した。修正した理論モデルと実験データの間の偏差は,古典的な理論と実験データとの間のそれと比較して大きく減少した。古典的モデルと比較して,相対的な膜厚さの平均偏差は1.91%減少し,相対的な膜の厚さの最大偏差は2.38%減少し,相対的な膜厚さの根平均二乗偏差は古典的モデルと比較して2.05%減少し,この修正モデルは古典的なものよりも大きな角と広い開口堆積状況を記述するにはより正確であることを示唆した。本研究は類似条件下での堆積厚さ分布を変化させる新しい方法を提供するかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 開口 ,  電子ビーム蒸着 ,  膜厚 ,  *自己遮蔽 ,  薄膜
準シソーラス用語： 理論モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 構体自身が作成する影の影響 ,  大開口 ,  光薄膜 ,  充填密度 ,  Uniformity

分類 (4件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 蒸発 ,  厚さ分布