文献

J-GLOBAL ID：201702216614362930   整理番号：17A1134589

溶液由来のGd添加ZrO₂高kゲート誘電体のアニーリング温度依存微細構造と光学的および電気的特性

Annealing temperature-dependent microstructure and optical and electrical properties of solution-derived Gd-doped ZrO₂ high-k gate dielectrics

著者 (7件)： ZHU L. (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  HE G. (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  SUN Z. Q. (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  LIU M. (Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sci., Hefei, CHN) ,  JIANG S. S. (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  LIANG S. (Anhui Univ., Hefei, CHN) ,  LI W. D. (Anhui Univ., Hefei, CHN)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 83  号： 3  ページ： 675-682  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法で製造したGd添加ZrO₂高k(誘電率)ゲート誘電体薄膜の光学的,電気的特性を系統的に調べた。ZrOCl₂・8H₂OとGd₂(NO₃)₃を2-メチトキシエタノール中に溶解してGdドープZrO₂の前駆体溶液を調製し,n型Si(100)ウェハと石英基板上にスピンコーティングし,400~600°Cで熱処理した。その結果,400°Cで熱処理したZrGdO_xが最高の誘電率,最小のフラットバンド電圧ヒステリシス,ボーダートラップ酸化物電荷密度,低い漏れ電流密度を示し,優れた電気的,光学的性質を示した。低電場における主な導電機構は漏れ電流解析の結果から,ショットキーエミッションとオーム伝導であった。高電場では直接トンネル効果であった。

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *酸化ジルコニウム ,  *ドーピング ,  *酸化ガドリニウム ,  誘電率 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  温度依存性 ,  加熱温度 ,  焼なまし ,  微細構造 ,  硝酸塩 ,  前駆体 ,  溶液 ,  ウエハ【IC】 ,  スピンコーティング ,  電圧 ,  容量電圧特性 ,  電荷分布 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  電場 ,  Schottky障壁 ,  トンネル効果 ,  光学的性質 ,  電気伝導
準シソーラス用語： フラットバンド電圧

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 溶液 ,  Gd ,  ZrO2 ,  ゲート誘電体 ,  アニーリング温度 ,  微細構造 ,  光学 ,  電気的特性