Borrel Julien について
STMicroelectronics, Crolles, France について
Hutin Louis について
University Grenoble Alpes, Grenoble, France について
Rozeau Olivier について
University Grenoble Alpes, Grenoble, France について
Jaud Marie-Anne について
University Grenoble Alpes, Grenoble, France について
Martinie Sebastien について
University Grenoble Alpes, Grenoble, France について
Gregoire Magali について
STMicroelectronics, Crolles, France について
Dubois Emmanuel について
Centre National de la Recherche Scientifique, Institut d’E ́lectronique de Microe ́lectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France について
Vinet Maud について
University Grenoble Alpes, Grenoble, France について
IEEE Transactions on Electron Devices について
ケイ素 について
金属 について
比率 について
誘電体 について
フォトニックバンドギャップ について
MOSFET について
ドーピング について
モデル について
電気抵抗率 について
Fermi準位 について
メタライゼーション について
界面 について
MIS構造 について
電流電圧特性 について
Fermiレベル について
シリコン について
メタル について
金属-半導体界面 について
接触抵抗率 について
伝導度 について
電気比抵抗 について
半導体素子モデル について
金属-絶縁体-半導体構造 について
MIS について
コンタクト について
Fermiレベルピニング について
緩和 について
モデリング について
pMOSFET について
集積 について
パート について