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J-GLOBAL ID：201702216698201081   整理番号：17A0543047

Cu₂ZnSnS₄ナノ粒子塗布膜のSe化アニールとアニール条件の改善

著者 (5件)： 瀧駿也 (早稲田大) ,  森内洸太 (早稲田大) ,  宇留野彩 (早稲田大) ,  ZHANG Xianfeng (早稲田大) ,  小林正和 (早稲田大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.2-082  発行年： 2017年03月05日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 亜鉛化合物 ,  硫黄化合物 ,  銅化合物 ,  スズ化合物 ,  ナノ粒子 ,  塗膜 ,  化学反応 ,  セレン ,  *焼なまし ,  熱処理条件 ,  *太陽電池 ,  光吸収

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu2ZnSnS4 ,  ナノ粒子 ,  塗布膜 ,  Se ,  アニール ,  アニール条件