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J-GLOBAL ID：201702216770886179   整理番号：17A0965781

14nm金属ゲート膜はスタック開発と挑戦【Powered by NICT】

14nm metal gate film stack development and challenges

著者 (6件)： Jianhua Xu (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), 18, Zhangjiang Road, Pudong New Area, 201203, China) ,  Anni Wang (SMIC Advanced Technology R&D (Shanghai) Corporation, 18, Zhangjiang Road, Pudong New Area, 201203, China) ,  Jun He (SMIC Advanced Technology R&D (Shanghai) Corporation, 18, Zhangjiang Road, Pudong New Area, 201203, China) ,  Xuezhen Jing (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), 18, Zhangjiang Road, Pudong New Area, 201203, China) ,  Ziying Zhang (SMIC Advanced Technology R&D (Shanghai) Corporation, 18, Zhangjiang Road, Pudong New Area, 201203, China) ,  Beichao Zhang (SMIC Advanced Technology R&D (Shanghai) Corporation, 18, Zhangjiang Road, Pudong New Area, 201203, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1614nmとそれ以降に進むIC技術として,優れた漏れ性能の利点を持つFinFETアーキテクチャはIC産業の主流となりつつある。しかし,その非常に攻撃的な構造とプロファイル,CD収縮,影効果とギャップ充填困難性のために,統合およびプロセスのための大きな挑戦をもたらす。本研究では,TaN,TiN(TiSiN),TiAlとCVDWを含む原子層堆積(A LD)金属膜は置換金属ゲート応用のために研究した。ステップ被覆率とギャップ充填,負荷効果と仕事関数の調整可能な範囲の課題を検討し,検討した。高Kキャッピング層(TiNやTaN),仕事関数金属(TiN&TiAl),W障壁層(TiN)の厚さはすべてのN/P MOS素子のVtに強い影響を示し,300以上のmV同調範囲仕事関数を達成することができた。に加えて,より高いAl:Ti比過程,TiAlとW障壁TiN間の界面特別な処理と異なるWプロセスはNMOS Vtを下げることができる。最後に,CD開口が5nmより大きいときA LDとCVDプロセスは良好なギャップ充填性能を確保する(アスペクト比は約20:1である)。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： NMOS構造 ,  金属薄膜 ,  影効果 ,  開口 ,  アスペクト比 ,  被覆率 ,  計算機アーキテクチャ ,  界面 ,  アルミニウム ,  *仕事関数
準シソーラス用語： 同調範囲 ,  バリア層 ,  ALCVD ,  窒化チタン ,  FinFET ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 金属ゲート ,  スタック ,  開発