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J-GLOBAL ID：201702217035076425   整理番号：17A0474645

太陽光MCTベースn-on-p赤外FPA検出器における「漏れ」と「非漏れ」FPA要素の光応答に及ぼす高導電性n型抗脱バイアス層の影響【Powered by NICT】

Impact of high-conductivity n-type anti-debiasing layer on the photoresponse of “leaking” and “non-leaking” FPA elements in photovoltaic MCT-based n-on-p infrared FPA detectors

著者 (7件)： Vasiliev V.V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia) ,  Vishnyakov A.V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia) ,  Dvoretsky S.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia) ,  Predein A.V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia) ,  Sabinina I.V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia) ,  Sidorov Yu.G. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia) ,  Stuchinsky V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 81  ページ： 223-227  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水銀-カドミウム-テルルをベースにした光起電力n-on-p赤外FPA検出器の焦点面アレイ(FPA)素子の光応答に及ぼす高導電性n型抗脱バイアス層(ADL)の影響を両タイプのFPA素子を用いて測定し,まず,「漏れ」と「漏れの無い」アレイフォトダイオードとFPA素子の測定した電流-電圧特性と,第二に,空間的光応答プロファイルの考慮により分析した。吸収体層/ADL界面でのp-n接合を持つ寄生ダイオードの最も顕著な症状は「漏れ」FPA素子により生成された負の光応答の出現である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  界面 ,  *導電性 ,  電流電圧特性 ,  PN接合 ,  *バイアス ,  電流 ,  *太陽光 ,  ダイオード ,  光起電力 ,  フォトダイオード ,  吸収体 ,  *検出器
準シソーラス用語： *光応答 ,  焦点面アレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2次元焦点面アレイ光検出器 ,  水銀-カドミウム-テルル ,  電流-電圧特性 ,  スポットスキャン結プロファイル ,  フォトダイオード ,  抗脱バイアス層

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 太陽光 ,  MCT ,  赤外 ,  検出器 ,  漏れ ,  要素 ,  光応答 ,  高導電性