Vasiliev V.V. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Vishnyakov A.V. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Dvoretsky S.A. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Predein A.V. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Sabinina I.V. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Sidorov Yu.G. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Stuchinsky V.A. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science, Siberian Branch, 13, Acad. Lavrent’ev Avenue, Novosibirsk, Russia について
Infrared Physics & Technology について
二次元 について
界面 について
導電性 について
電流電圧特性 について
PN接合 について
バイアス について
電流 について
太陽光 について
ダイオード について
光起電力 について
フォトダイオード について
吸収体 について
検出器 について
光応答 について
焦点面アレイ について
2次元焦点面アレイ光検出器 について
水銀-カドミウム-テルル について
電流-電圧特性 について
スポットスキャン結プロファイル について
フォトダイオード について
抗脱バイアス層 について
赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 について
太陽光 について
MCT について
赤外 について
検出器 について
漏れ について
要素 について
光応答 について
高導電性 について