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J-GLOBAL ID：201702217060375760   整理番号：17A0549695

超平坦α-TaO_x薄膜を用いた抵抗変化メモリ動作における導電性フィラメントの直接観察

著者 (5件)： 福地厚 (北大 大学院) ,  有田正志 (北大 大学院) ,  片瀬貴義 (北大 電子科研) ,  太田裕道 (北大 電子科研) ,  高橋庸夫 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-419-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化タンタル ,  *RAM【メモリ】 ,  *絶縁膜 ,  *フィラメント ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  *抵抗変化メモリ ,  導電性フィラメント
準シソーラス用語： 酸化タンタル(V) ,  AFM【顕微鏡】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 平坦 ,  薄膜 ,  抵抗変化メモリ ,  導電性フィラメント