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J-GLOBAL ID：201702217167373391   整理番号：17A1810904

常伝導金属電極をもつシリセンナノシステムにおける低周波数ac輸送

Low-frequency ac transport in silicene nanosystem with normal-metal electrodes

著者 (2件)： SUN Yun-Lei (Zhejiang Univ. City Coll., Hangzhou, CHN) ,  YE En-Jia (Jiangnan Univ., Wuxi, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 085101.1-085101.5  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 常伝導金属電極/シリセンナノリボン/常伝導金属(NSN)ナノ構造をもつジグザグシリセンナノシステムの低周波数ac輸送特性を理論的に調べた。強束縛アプローチとac輸送理論に基づいて,最近傍ホッピングや第二最近傍スピン-軌道相互作用(SOI)および外部電場を考慮することにより,このナノシステムのdcコンダクタンスとacエミッタンスを数値計算した。その結果はシリセンリボンと常伝導金属の間の界面散乱によって生じた反共振効果が比較的強いSOIによって相殺されることを示した。SOIは量子相転移を誘起し,局所状態密度(LDOS)で明らかになった実空間におけるトポロジカルエッジチャネルを確立し,Dirac点付近で一定なdcコンダクタンスと減少するacエミッタンスを生ずる。さらなる研究はこの輸送特性がSOIによってナノシステムの幾何学的なサイズ変化からトポロジカルに保護されることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 金属 ,  電極 ,  *ケイ素 ,  *LF【周波数】 ,  *交流 ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  構造 ,  *特性 ,  強束縛近似 ,  輸送理論 ,  ホッピング伝導 ,  スピン-軌道相互作用 ,  電場 ,  直流 ,  コンダクタンス ,  エミッタンス ,  散乱 ,  相転移 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  単一層
準シソーラス用語： Dirac点 ,  ジグザグ構造 ,  *シリセン ,  *ナノリボン ,  界面散乱 ,  外部電場 ,  局所状態密度 ,  常伝導金属 ,  低周波数 ,  *輸送特性 ,  量子相転移

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (48件)：

• K. Takeda and K. Shiraishi, Phys. Rev. B 50, 14916 (1994).
• S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Akt?rk, H. ?ahin, and S. Ciraci, Phys. Rev. Lett. 102, 236804 (2009).
• C. C. Liu, W. X. Feng, and Y. G. Yao, Phys. Rev. Lett. 107, 076802 (2011).
• Z. Y. Ni, Q. H. Liu, K. C. Tang, J. X. Zheng, J. Zhou, R. Qin, Z. X. Gao, D. P. Yu, and J. Lu, Nano Lett. 12, 113 (2012).
• C. L. Lin, R. Arafune, K. Kawahara, M. Kanno, N. Tsukahara, E. Minamitani, Y. Kim, M. Kawai, and N. Takagi, Phys. Rev. Lett. 110, 076801 (2013).

タイトルに関連する用語 (5件)： 常伝導 ,  金属電極 ,  低周波数 ,  Ac ,  輸送