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J-GLOBAL ID：201702217191335716   整理番号：17A1727327

一軸歪ホスホレンn-MOSFETの性能研究【Powered by NICT】

Performance investigation of uniaxially strained phosphorene n-MOSFETs

著者 (4件)： Jung Sungwoo (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Deajeon, Republic of Korea) ,  Seo Junbeom (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Deajeon, Republic of Korea) ,  Heo Seonghyun (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Deajeon, Republic of Korea) ,  Shin Mincheol (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Deajeon, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 341-344  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,第一原理ベース量子輸送シミュレーションによる一軸歪単層黒リン(ホスホレン)n-MOSFETの性能を報告した。最初に,歪を印加することなく,アームチェア方向(AD)FETはホスホレンの異方性バンド構造に起因する方位依存輸送特性のためにジグザグ方向(ZD)FETよりも優れた性能を示した。ADにおける引張ひずみの増加とともに,しかし,電子有効質量はZD(AD)における光が(重),ZD(AD)FETのオン状態電流(I_on)の増加(減少)をもたらすがYでの伝導バンド(CB)の下方シフトが発生する。ZDにおける引張歪の場合,ZD(AD)FETのI_onの急激な増加(減少)が観察された。は主にΓとXとの間の点における第一および第二伝導帯とCB間のバンドスイッチングに起因した;CBはここでZD FETの性能を向上させるために十分な電子有効質量光を有していた。全体として,圧縮歪と比較して,ホスホレンのバンド構造は両方向の引張歪に対してより敏感である,AD FETのレベルまでZD FETの性能を向上させることを可能にする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 第一原理 ,  異方性 ,  電流 ,  伝導バンド ,  *MOSFET ,  折れ線 ,  バンド構造 ,  単一層 ,  有効質量
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  オン状態 ,  引張歪 ,  輸送特性 ,  量子輸送 ,  *一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 一軸歪 ,  ホスホレン ,  MOSFET ,  研究