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J-GLOBAL ID：201702217254427168   整理番号：17A1478182

少数キャリア注入の下での高電流密度状態におけるSchottkyダイオードの電流-電圧特性

Current-Voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Current Densities Under the Injection of Minority Carriers

著者 (5件)： MNATSAKANOV T. T. (All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS) ,  TANDOEV A. G. (All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS) ,  LEVINSHTEIN M. E. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  YURKOV S. N. (All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS) ,  PALMOUR J. W. (A Cree Co., NC, USA)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 8  ページ： 1081-1086  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年SiCをベースにしたSchottkyダイオードの出現により少数キャリアの存在の下でのその電気的な挙動に関心が集まっている。このため,本研究では,少数キャリア注入の下での高電流密度状態におけるSchottkyダイオードの電流-電圧特性と電流密度(j)>移動度,少数キャリアのドーピングレベル,および電場によって決まる電流密度(j_crn)を満足する電流密度の解析的な表現を導く。この結果を,数値計算によて確認する。

シソーラス用語： *少数キャリア ,  *キャリア注入 ,  *電流密度 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  炭化ケイ素 ,  移動度 ,  *ドーピング ,  電場 ,  表現 ,  数値計算
準シソーラス用語： 解析表現

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア注入 ,  高電流密度 ,  Schottkyダイオード ,  電圧特性