文献

J-GLOBAL ID：201702217265112718   整理番号：17A0509830

GaAs/InAs コア/シェルのナノワイヤでのHall効果測定における電子干渉

Electron Interference in Hall Effect Measurements on GaAs/InAs Core/Shell Nanowires

著者 (14件)： HAAS Fabian (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  HAAS Fabian (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  ZELLEKENS Patrick (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  ZELLEKENS Patrick (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  LEPSA Mihail (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  LEPSA Mihail (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  RIEGER Torsten (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  RIEGER Torsten (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  GRUETZMACHER Detlev (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  GRUETZMACHER Detlev (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  LUETH Hans (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  LUETH Hans (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  SCHAEPERS Thomas (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  SCHAEPERS Thomas (Juelich Aachen Res. Alliance, Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 128-135  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正常なソース-ドレインリードおよび側面付着Hall接触で接触した標題ナノワイヤに対する低温(300 mKから100K)磁気輸送測定を16 Tまでの磁場を用いて行った。ソースとドレインの間の低温測定により,ナノワイヤ軸に垂直な磁場内のコンダクタンスゆらぎのような典型的な位相コヒーレント効果,および磁場に並行なAharonov-Bohm型振動を観測した。Hall電圧ビルドアップに対する温度,ゲート電圧,および磁場とナノワイヤ軸の間の傾斜角の影響は明白に分解でき,ナノワイヤをキャリアの濃度と移動度で精密に特徴づけできる。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  *コアシェル構造 ,  *ナノワイヤ ,  *Hall効果 ,  *輸送現象 ,  ゆらぎ ,  Aharonov-Bohm効果 ,  温度依存性 ,  電圧 ,  傾斜角 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *ガリウムヒ素 ,  *磁気輸送 ,  コンダクタンス揺らぎ ,  ゲート電圧 ,  キャリア濃度

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  InAs ,  コア ,  シェル ,  ナノワイヤ ,  Hall効果 ,  電子 ,  干渉