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J-GLOBAL ID:201702217439046354   整理番号:17A0851394

種子エンドn型Czochralskiけい素ウエハ中の光照射下のバルク欠陥形成-シリコンヘテロ接合太陽電池に及ぼす影響【Powered by NICT】

Bulk defect formation under light soaking in seed-end n-type Czochralski silicon wafers - Effect on silicon heterojunction solar cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 166  ページ: 147-156  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光吸収下で補償されていない種子末端n型(りんをドープした)Czochralskiシリコンウエハの電子特性の劣化について報告した。明確にこの劣化は照明下でのバルク欠陥の形成および/または活性化に関連することを示した。はその活性化/形成(照明強度,空間分布)と失活特性に関する一般的な情報をもたらす。はこの欠陥は恒常的に高い温度(850°C)で数秒で抑制できることを示す。逆に低温(200°C)でのアニーリングは,一時的な失活のみに導くことを見いだし,欠陥はその後の照射後再活性化/改質であった。結果として,この欠陥は低温で処理した太陽電池技術,非晶質/結晶シリコンヘテロ接合(SHJ)のような有害である可能性がある。SHJ電池性能に及ぼす欠陥の影響をデバイスレベルで実験的に評価した。欠陥の可能な性質は,全ての収集したデータの観点から論じた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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