文献

J-GLOBAL ID：201702217464181973   整理番号：17A1498697

中赤外オプトエレクトロニクス用の高度に望ましい半導体材料:希薄ビスマスInAs_1Bi-x合金【Powered by NICT】

Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs_1- Bi _x alloys

著者 (6件)： Assali Abdenacer (Unite de Recherche en Optique et Photonique (UROP-Setif) - Centre de Developpement des Technologies Avancees, P.O. Box 17, Baba-Hassen, 16303 Algiers, Algeria) ,  Assali Abdenacer (Laboratoire Materiaux (LABMAT), Ecole Nationale Polytechnique d’Oran (ENPO), BP 1523 El Mnaouar, 31000 Oran, Algeria) ,  Bouslama M’hamed (Laboratoire Materiaux (LABMAT), Ecole Nationale Polytechnique d’Oran (ENPO), BP 1523 El Mnaouar, 31000 Oran, Algeria) ,  Reshak A.H. (New Technologies - Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14 Pilsen, Czech Republic) ,  Reshak A.H. (School of Material Engineering, University Malaysia Perlis, 01007 Kangar, Perlis, Malaysia) ,  Chaabane Loubna (Laboratoire de Technologie des Materiaux et de Genie des Procedes, Faculte de Technologie, Universite A/MIRA-Bejaia, Route Targa-Ouzemour 06000, Algeria)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 95  ページ： 588-596  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中赤外オプトエレクトロニクス応用のための希薄ビスマス化物InAs_1Bi_x合金(0≦x≦0.125)の構造的,電子的および光学的性質を調べるために密度汎関数理論(DFT)の枠内で自己無撞着フルポテンシャル線形増強平面波(FP LAPW)法を行った。格子定数a_0と体積弾性率B_0を含む基底状態の性質は,Wu-Cohen一般化勾配近似(WC GGA)を用いて得られ,実験データと一致することを示した。計算されたバンドギャップエネルギー(E)はスピン-軌道結合があるTran Blaha修飾Becke-Johnsonスキーム(TB mBJ)を用いて,実験E gに近い一致を示した。InAs_1Bi_x合金は妊娠中期遠赤外(~2.6 14μm)波長範囲を覆う小さなBi組成(x=0~0.125の~380MeV)のための大きなバンドギャップの減少を示した。InAs_1Bi_x合金における狭帯域ギャップはホスト伝導帯(CB)とIn/As/Bi原子の非占有s/p軌道の価電子帯最大(VBM)とハイブリダイゼーション(反交差)とBip状態の共鳴相互作用に起因すると考えられる。屈折率,消衰係数,吸収係数,反射率及びエネルギー損失関数のような誘電関数と光学パラメータ量は,利用可能な実験データと比較して放射範囲0~10eVで決定した。臨界点(CP)エネルギーは測定データと良く一致し計算した電子バンド構造から同定されている。これは中赤外波長領域で動作する光検出器とレーザダイオードとして作製先端オプトエレクトロニクス素子のためのInAs_1Bi_ 有望な材料である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  *ヒ化インジウム ,  誘電関数 ,  格子定数 ,  *オプトエレクトロニクス ,  吸収係数 ,  伝導バンド ,  光学的性質 ,  波長 ,  *半導体材料 ,  反射率 ,  密度汎関数法 ,  屈折率 ,  バンドギャップ ,  基底状態

著者キーワード (4件)： InAs_1Bi-xビスマス合金 ,  中赤外オプトエレクトロニクス ,  FP-LAPW(TB mBJ)法 ,  オプトエレクトロニクス特性

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： オプトエレクトロニクス ,  半導体材料 ,  ビスマス ,  合金