Zhang Xuguang について
Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China について
Xu Jianping について
Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China について
Zhang Xiaosong について
Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China について
Shi Shaobo について
School of Science, Tianjin University of Technology and Education, Tianjin 300222, People’s Republic of China について
Zhao Xiangguo について
Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China について
Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China について
Materials Science in Semiconductor Processing について
空間電荷制限電流 について
不揮発性メモリ について
ポリメタクリル酸メチル について
トンネル効果 について
電流 について
双安定性 について
活性層 について
電圧 について
熱電子放出 について
ナノ結晶 について
直列抵抗 について
電子輸送 について
ターンオン電圧 について
WORM について
第四紀ZCIS NC について
ナノ複合材料 について
電気的に双安定メモリ素子 について
書込一回読取多時間 について
ダイオード について
ナノ結晶 について
不揮発性メモリ について
双安定性 について
PMMA膜 について