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J-GLOBAL ID：201702217527029643   整理番号：17A1181735

湿式リセスと湿式酸化AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの性能改善とより良いスケーラビリティ【Powered by NICT】

Performance improvement and better scalability of wet-recessed and wet-oxidized AlGaN/GaN high electron mobility transistors

著者 (5件)： Takhar Kuldeep (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Meer Mudassar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Upadhyay Bhanu B. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Ganguly Swaroop (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Saha Dipankar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 131  ページ： 39-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造における湿式リセスAlGaN障壁層の湿式酸化により成長させたAl_2O_3の薄層は,GaNベース高電子移動度トランジスタ(HEMT)の性能を大幅に改善できることを実証した。ウェットエッチングがゲート領域の損傷のない後退をもたらし,減少したゲート容量とゲート漏れの増加の補償する。性能の改善は,飽和ドレイン電流,相互コンダクタンス,単位電流利得周波数(f_T)の増加として現れる。これはサブしきい値電流の大きな減少と共に増大している。性能改良は,主に犠牲ゲート容量を無視した2次元電子ガスにおける有効速度の増加に起因し,これは,それらの従来の対応物と比較したとき,湿式リセスゲート酸化物H EMTはよりスケーラビリティが良い。改良されたスケーラビリティの単位電流利得周波数とゲート長(f_T×L_g)生成物の増加をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *窒化ガリウム ,  *湿式酸化 ,  相互コンダクタンス ,  ウェットエッチング ,  *HEMT ,  周波数 ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： ゲート長 ,  電流利得 ,  ドレイン電流 ,  ゲート容量 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNH EMT ,  酸化物 ,  無線周波数 ,  スケーラビリティ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 湿式酸化 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  性能改善 ,  スケーラビリティ