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J-GLOBAL ID：201702217561839721   整理番号：17A1650023

MOCVD成長InGaAs薄層を用いたナノ電極THz光混合器【Powered by NICT】

Nanoelectrode THz photomixer using a MOCVD-grown InGaAs thin layer

著者 (9件)： Moon Kiwon (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Lee Eui Su (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Lee Il-Min (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Park Dong Woo (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Kim Hyun Soo (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Park Jeong-Woo (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Han Sang-Pil (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Choi Kyeong Sun (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Park Kyung Hyun (Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ電極を採用することにより,THz光伝導アンテナ(PCA)と光混合器(PM)の性能は著しく改善した。著者らの以前の研究の拡張について,ここでは,ホモダインTHz検出のためのナノ電極PM,低温で成長させた半導体からの遊離を示した。ナノ電極,一般的に光電子デバイスの様々な種類に適用できるによる電場増強効果を利用して実現した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOCVD ,  半導体 ,  低温 ,  *薄膜 ,  *光混合 ,  *混合装置 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 電場増強効果 ,  光電子デバイス ,  光伝導アンテナ ,  *ナノ電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  成長 ,  InGaAs ,  薄層 ,  ナノ電極 ,  光混合