文献

J-GLOBAL ID：201702217747084846   整理番号：17A1521735

低閾値852nm半導体レーザの温度特性【JST・京大機械翻訳】

Thermal Characteristics of The Low Threshold 852 nm Semiconductor Lasers

著者 (6件)： Liao Yiru (北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124) ,  Guan Baolu (北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124) ,  Li Jianjun (北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124) ,  Liu Chu (北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124) ,  Mi Guoxin (北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124) ,  Xu Chen (北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 3  ページ： 331-337  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着(MOCVD)と半導体技術により852nmの半導体レーザを作製し、室温での閾値電流は57.5mAで、出力のスペクトル線幅は1nm以下である。レーザの出力光パワー,閾値電流,電圧,出力中心波長の温度依存性を測定し,解析した。試験結果により、温度変化範囲が293~328Kの時、閾値電流の変化速度は0.447 mA/Kで、特徴温度T0は142.25 Kで、出力の光パワー変化率は0.63 K Kであることが明らかになった。計算により、理想因子nは2.11、レーザー熱抵抗は77.7K/W、中心波長シフト速度は0.24929nm/Kで、実験で得られた中心波長シフト速度は理論計算結果と一致した。実験結果により、この半導体デバイスは293~303Kの温度範囲において、各特性パラメータは比較的良好な状態を保つことができることが分かった。デバイスが高温環境に作動すると、制御装置を添加することで、デバイスが良好な状態で動作することを保証する必要がある。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOCVD ,  *レーザ ,  温度変動 ,  電圧 ,  *半導体レーザ ,  半導体素子 ,  波長 ,  制御装置 ,  熱抵抗 ,  スペクトル線幅 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 波長シフト ,  理想因子 ,  閾値電流 ,  *温度特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 852 nm semiconductor laser ,  temperature characteristic ,  threshold current ,  characteristics of the temperature

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 閾値 ,  半導体レーザ ,  温度特性