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J-GLOBAL ID：201702217776476270   整理番号：17A1940687

SF₆/O₂プラズマによる多孔性SiO₂の極低温エッチング

Cryogenic etching of porous SiO₂ with SF₆/O₂ plasmas

著者 (6件)： TINCK Stefan (Antwerp Univ., Antwerp, BEL) ,  ZHANG Q. (Antwerp Univ., Antwerp, BEL) ,  NEYTS E. (Antwerp Univ., Antwerp, BEL) ,  TILLOCHER T. (Univ. Orleans, Orleans, FRA) ,  DUSSART R. (Univ. Orleans, Orleans, FRA) ,  BOGAERTS A. (Antwerp Univ., Antwerp, BEL)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 39th  ページ： 103-104  発行年： 2017年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： フッ化硫黄 ,  酸素 ,  プラズマ ,  *二酸化ケイ素 ,  *極低温 ,  *プラズマエッチング ,  *照射損傷 ,  *多孔質体 ,  誘電体 ,  基板温度 ,  時間依存性 ,  ウエハ【IC】 ,  分子動力学 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  温度分布 ,  トレンチカット【加工】
準シソーラス用語： 低k誘電体

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： SF6 ,  O2 ,  プラズマ ,  多孔性 ,  SiO2 ,  極低温 ,  エッチング