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J-GLOBAL ID:201702217822259676   整理番号:17A0750108

CdSバッファ層蒸着後の高温アニーリングにより作製した効率を改善したCu_2ZnSnS_4光起電力電池【Powered by NICT】

Cu2ZnSnS4 photovoltaic cell with improved efficiency fabricated by high-temperature annealing after CdS buffer-layer deposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 14-22  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cu_2ZnSnS_4(CZTS)電池の光起電力特性を改善するために,二層CZTS構造を用いて堆積したCdS層の厚さとCZTS電池の光起電力特性に対するCdS堆積後のポストアニーリング温度の両方の影響を調べた。薄いCdS層(40 nm)とそれに続く高温アニーリング(603 K)を析出させることによって,著者らは400 800nmの波長範囲で外部量子効率の増加のため,短絡電流密度の顕著な増加を観察した。最良CZTS電池は活性面積(設計領域における9.1%)で9.4%の変換効率を示した。さらに,CZTS層の組成を調整することにより,開回路電圧0.80VでCZTSセルを作製した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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