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J-GLOBAL ID：201702217963614266   整理番号：17A1833429

ゲート-ドレインアンダーラップを有する二重ゲートトンネルFETのためのコンパクトモデル【Powered by NICT】

Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs With Gate-Drain Underlap

著者 (5件)： Xu Peng (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Electron Device and Integration, School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China) ,  Lou Haijun (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Electron Device and Integration, School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China) ,  Zhang Lining (College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Yu Zhonghua (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Electron Device and Integration, School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China) ,  Lin Xinnan (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Electron Device and Integration, School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 12  ページ： 5242-5248  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート ドレインアンダーラップ(DG u TFET)と二重ゲートトンネルFET(TFET)のためのコンパクトなモデルを二重ゲートトンネルFET(DG TFET)と比較して,両極性電流とMiller容量(C_dg)の軽減を考慮した提案した。アンダーラップに起因するオン状態電流劣化は,チャネルとドレインの間の有効抵抗を持つ理想的なDG TFETモデルを拡張することにより再現された。デバイス表面ポテンシャルに基づき,末端電荷モデルを回路シミュレーションの可能性を可能にする開発し,端末容量をさらに定義から導出した。このモデルはDG U TFETの電気的特性を明確に捉えるとTCADシミュレーションと比較して良好な一致を得た。モデルはHSPICEに実装した後,インバータを確立し,収束問題なしにシミュレートすることに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  電荷 ,  回路シミュレーション ,  *電流 ,  電気的性質 ,  シミュレーション ,  表面電位 ,  端末装置
準シソーラス用語： HSPICE ,  TCAD ,  オン状態 ,  両極性 ,  *コンパクトモデル ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  二重ゲート ,  トンネルFET ,  コンパクトモデル