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J-GLOBAL ID：201702218057486986   整理番号：17A1943104

ワイドバンドギャップ半導体デバイスを適用したパワーエレクトロニクス回路の過渡特性計測法に関する一検討

著者 (3件)： 林慧 (大阪大 大学院工学研究科) ,  舟木剛 (大阪大 大学院工学研究科) ,  井渕貴章 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 319(EMCJ2017 64-75)  ページ： 45-50  発行年： 2017年11月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ半導体デバイスの高速スイッチング動作を活用して,電力変換回路の高効率化・小型化が期待されている。しかし,ハーフブリッジ回路において高速スイッチング動作するデバイスに対して,特にソース電位の浮いている上側アームの過渡応答の正確な計測は困難であった。本研究では,種類の異なる差動プローブを用いて,高速スイッチング動作するデバイスの電圧・電流応答の計測を行い,CMRRなどの機器性能が測定結果に与える影響について検証するとともに,その補償方法について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： 電子回路 ,  *パワーエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  半導体素子 ,  ブリッジ回路 ,  *スイッチング素子 ,  電流電圧特性 ,  電気測定 ,  過渡応答
準シソーラス用語： *ハーフブリッジ回路 ,  ワイドバンドギャップ ,  過渡特性

分類 (1件)： 電子回路一般  (NC05010N)

引用文献 (8件)：

• J. L. Hudgins, G. S. Simin, E. Santi and M. A. Khan: ′′An assessment of Wide Bandgap Semiconductors for Power Devices′′, IEEE Trans. Power Electronics, Vol.18, No.3, p.907-914 (2003).
• T. Yamagishi, H. Akagi, S. Kinouchi, Y. Miyazaki, and M. Koyama: ′′A 750-V, 100-kW, 20-kHz Bidirectional Isolated DC/DC Converter Using SiC-MOSFET/SBD Modules′′, IEEJ Trans., Vol.134, No.5, pp.544-553 (2014)
• Koji Yamaguchi and Junichi Magome: ′′SiC-MOSFET Converter for Switched Reluctance Motors′′, IEEJ Trans., Vol.135, No.7, pp.761-768 (2015)
• Otto Kreulzer, Martin Marz and Hideki Nakata: ′′Full SiC DCDC-Converter with a Power Density of more than 100kW/dm3′′, Mayerials Science Forum., Vol.821-823, pp.844-888 (2015)
• Youichirou Suzuki, Shuichi Kouno, Ryohei Kataoka, Tomonori Kimura and Hiroki Kuwano: ′′Study of compact and broad spwctrum coil by the laminated subtrates structure′′, Trans. of the JSME, Vol.81, No.828(2015)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  パワーエレクトロニクス ,  過渡特性 ,  計測法