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J-GLOBAL ID：201702218109178620   整理番号：17A1727289

PHITS TCADシミュレーションシステムによる28nm FD-SOIと22nm FinFETラッチに及ぼす中性子誘起ソフトエラー率の解析【Powered by NICT】

Analysis of neutron-induced soft error rates on 28nm FD-SOI and 22nm FinFET latches by the PHITS-TCAD simulation system

著者 (3件)： Furuta Jun (Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology) ,  Umehara Shigehiro (Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology) ,  Kobayashi Kazutoshi (Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 185-188  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETとFD-SOIプロセスは放射線誘発時間的誤差を低減し,どのような性能オーバーヘッドなしに回路の信頼性を改善した。進行平面および3次元トランジスタプロセスにおけるSEU率を比較するためにTCADとPHITSを用いて28nm FD-SOIと22nm FinFETフリップフロップの中性子誘起SEU(シングルイベントアップセット)速度を計算した。シミュレーション結果は,22nmのFinFETのSEU率は28nm FD-SOI上のそれの約1/10であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  放射線 ,  *中性子 ,  双安定回路 ,  SEU【シングルイベント】 ,  *シミュレーション ,  *放射線挙動計算コードPHITS
準シソーラス用語： *ソフトエラー率 ,  *FinFET ,  *シミュレーションシステム ,  *TCAD ,  *PHITS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： PHITS ,  TCAD ,  シミュレーションシステム ,  SOI ,  FinFET ,  中性子 ,  誘起 ,  ソフトエラー率 ,  解析