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J-GLOBAL ID：201702218200111321   整理番号：17A1112959

Nd₂O₃/Si系の構造的及び電気的性質に及ぼす熱酸化時間の効果

Effects of thermal oxidation duration on the structural and electrical properties of Nd₂O₃/Si system

著者 (3件)： HETHERIN Karuppiah (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  RAMESH S. (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  WONG Yew Hoong (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 8  ページ： 510,1-11  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上にRFスパッタリングによりNdを堆積し,更に異なる時間で熱酸化を行って得たNd₂O₃薄膜を含む試料の特性を調べた。X線回折,Fourier変換赤外分光,Raman分光,透過型電子顕微鏡法により構造的及び化学的性質を調べた結果,Si基板とNd₂O₃(立方晶)薄膜の間にSiO₂(単斜晶,正方晶,六方晶)及びNd₂Si₂O₇(斜方晶)の界面層が存在することが分かった。15分酸化した試料では単一界面層,5,10,20分酸化した試料では二重界面層が検出された。15分酸化した試料は,最高Nd₂O₃強度,最大SiO₂微結晶,最薄界面及び酸化層,最高障壁高,最低有効酸化物電荷,低速トラップ密度,平均界面トラップ密度を持つため,最良の電気的性質(最高絶縁破壊電場,最低漏れ電流密度)を示した。

シソーラス用語： *酸化ネオジム ,  ケイ素 ,  *誘電体薄膜 ,  *結晶構造 ,  *電気的性質 ,  *熱酸化 ,  *RFスパッタリング ,  X線回折 ,  FTIR分光法 ,  Raman分光法 ,  電子顕微鏡観察 ,  *境界層 ,  酸化物 ,  ネオジム化合物 ,  ケイ素化合物 ,  二酸化ケイ素 ,  *絶縁膜 ,  MIS構造 ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： *界面層 ,  *高k誘電体

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： Nd2O3 ,  Si ,  電気的性質 ,  熱酸化