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J-GLOBAL ID：201702218218335888   整理番号：17A1810918

電荷捕獲フラッシュメモリ用SiO₂/ZrO₂ハイブリッドトンネル障壁の電気特性

Electrical characteristics of SiO₂/ZrO₂ hybrid tunnel barrier for charge trap flash memory

著者 (6件)： CHOI Jaeho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHOI Jaeho (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR) ,  BAE Juhyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  AHN Jaeyoung (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR) ,  HWANG Kihyun (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR) ,  CHUNG Ilsub (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 086503.1-086503.7  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,保持特性ばかりでなくプログラム速度および消去速度とを改善するために,金属-Al₂O₃-SiO₂-Si₃N₄-SiO₂-ケイ素(MAONOS)構造中のSiO₂/ZrO₂ハイブリッドトンネル酸化物の電気特性を調べた。通常のMAONOS構造中へのZrO₂の挿入は17MV/cmにおいてプログラムによるV_thの変化を6.8Vまで増加させ,消去によるV_thの変化を-3.7Vまで増加させる。これらの結果はトンネル酸化物中の高k ZrO₂によるFowler-Nordheim(F/N)トンネル障壁の減少で理解できる。さらに,SiO₂中のZr拡散が界面領域にZr_xSi_1-xO₂の形成を生じ,SiO₂のバンドギャップを低減させる。このハイブリッドトンネル酸化物の保持特性はSiO₂の厚さに依存して変化する。30Å未満の薄いSiO₂の場合,トンネル酸化物の保持特性はSiO₂だけのトンネル酸化物と比較して劣る。しかし,40Å以上の厚いSiO₂厚さをもつハイブリッドトンネル酸化物はSiO₂だけのトンネル酸化物の場合と比較して改善した保持挙動を生ずる。ZrO₂の電荷密度の詳細な解析をISPP試験で行った。得られた電荷密度は総電荷密度と比較して極めて小さく,これは挿入されたZrO₂層が電荷貯蔵誘電体よりもトンネル材料となっていることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *キャリア捕獲 ,  *フラッシュメモリ ,  *ポテンシャル障壁 ,  複合構造 ,  *電気特性 ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化ジルコニウム ,  金属 ,  酸化アルミニウム ,  窒化ケイ素 ,  ケイ素 ,  積層構造 ,  データ書込 ,  データ消去 ,  記憶把持 ,  電圧 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  拡散 ,  依存性 ,  電荷分布 ,  *MIS構造 ,  *薄膜
準シソーラス用語： *トンネル障壁 ,  ハイブリッド構造 ,  厚さ依存性 ,  電荷貯蔵 ,  電荷捕獲 ,  電荷密度 ,  トンネルバリア ,  *酸化物薄膜 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

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• J. Kim, A. J. Hong, M. Ogawa, S. Ma, E. B. Song, Y.-S. Lin, J. Han, U.-I. Chung, and K. L. Wang, Symp. VLSI Technology, 2008, p. 122.
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• W. J. Tsai, N. K. Zous, C. J. Liu, C. C. Liu, C. H. Chen, T. Wang, S. Pang, C.-Y. Lu, and S. H. Gu, IEDM Tech. Dig., 2001, p. 719.

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷捕獲 ,  フラッシュメモリ ,  SiO2 ,  ZrO2 ,  トンネル障壁 ,  電気特性