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J-GLOBAL ID:201702218242580568   整理番号:17A1092049

分子水素曝露により作製した水素化ステップのあるSi(111)表面の和周波数発生分光法による研究【Powered by NICT】

Sum frequency generation spectroscopy study of hydrogenated stepped Si(111) surfaces made by molecular hydrogen exposure
著者 (5件):
資料名:
巻: 663  ページ: 11-15  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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[<span style=text-decoration:overline>~1</span><span style=text-decoration:overline>~1</span>2]方向にステップがあるSi(111)表面9.5°ミスカット上の水素吸着は~10~ 8Paの基礎圧力を有する超高真空チャンバー内でその場研究した。H-Si(111)-1×1表面は~470Paの圧力で超高純度水素ガスへのウエハを曝露することによって調製した。テラスとステップ上の水素の終結はppp,ssp,pps,spp.,PSP,sps,pssとsssのようないくつかの偏光の組み合わせを持つ和周波数発生(SFG)により観察した。一二および三シンボルをSFG,可視および赤外偏光を示した。pppとssp SFGは二モードのみ2082cm~ 1(A)でのSi-H伸縮振動テラスモード及び2094cm~ 1(C_1)における垂直段階二水素化物振動モードを示した。興味深い点は,湿式化学エッチングにより調製した同じミスカット表面角とH-Si(111)-1×1表面の以前のSFGスペクトルとは対照的にC_1モードの出現である。Si(111)ステップ表面上のステップ二水素化物とその配向の形成は,調製方法に強く依存することを示唆する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の表面構造  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 

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