Hien K.T.T. について
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan について
Sattar M.A. について
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan について
Miyauchi Y. について
Department of Physics, National Academy of Japan, Hashirimizu 1-10-20, Yokosuka, Kanagawa 239-8686, Japan について
Mizutani G. について
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan について
Rutt H.N. について
School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, U.K について
Surface Science について
水素化物 について
和周波数発生 について
水素 について
振動モード について
水素化 について
ウェットエッチング について
偏光 について
スペクトル について
真空容器 について
テラス について
高純度 について
水素吸着 について
シリコン(111) について
半導体の表面構造 について
物理的手法を用いた吸着の研究 について
分子 について
水素 について
曝露 について
作製 について
水素化 について
Si について
和周波数発生 について
分光法 について
研究 について