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J-GLOBAL ID：201702218328050638   整理番号：17A0445109

酸化インジウム亜鉛に及ぼすHfO_2薄膜のパルスレーザ蒸着:バンドオフセット測定【Powered by NICT】

Pulsed laser deposition of HfO₂ thin films on indium zinc oxide: Band offsets measurements

著者 (2件)： Craciun D. (National Institute for Laser, Plasma and Radiation Physics, Magurele, Romania) ,  Craciun V. (National Institute for Laser, Plasma and Radiation Physics, Magurele, Romania)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 77-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質インジウム亜鉛酸化物(IZO)ベースの薄膜トランジスタのための最も使用される誘電体膜の一つはHfO_2である。,In/(In+Zn)=0.79で,パルスレーザ蒸着法を用いて成長させたHfO_2/IZOヘテロ構造の価電子帯不連続性(Δ_V)の推定を,X線光電子分光法(XPS)測定から得た。Hf4d5,Znの2p3とin3d5内殻準位と価電子バンド最大値の結合エネルギーは,厚い純膜と厚いIZO膜上に堆積した非常に薄いHfO_2膜で測定した。ΔE_V=1.75±0.05eVの値はヘテロ構造を推定した。5.50eVと3.10eVの測定HfO_2とIZO光学バンドギャップ値を考慮に入れて,HfO_2/IZOヘテロ構造におけるΔE_=0.65±0.05eVの伝導帯オフセットを得た。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  内殻準位 ,  酸化亜鉛 ,  *オフセット ,  価電子バンド ,  *パルスレーザ蒸着 ,  結合エネルギー ,  薄膜トランジスタ ,  不連続性 ,  *バンドオフセット ,  光学ギャップ ,  X線光電子分光法 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *酸化インジウム亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HfO_2 ,  IZO ,  HfO_2/IZOヘテロ構造 ,  バンドアラインメント ,  X線光電子分光法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  バンドオフセット