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J-GLOBAL ID:201702218342896421   整理番号:17A0417763

130nm SiGe BiCMOSによる適応バイアス回路を持つ20~30GHz高効率電力増幅器IC【Powered by NICT】

A 20-30 GHz high efficiency power amplifier IC with an adaptive bias circuit in 130-nm SiGe BiCMOS
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: SiRF  ページ: 88-90  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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無線通信システムのための提案した高効率広帯域電力増幅器IC。パワーアンプICは効率と温度性能を改善するための大信号動作のもとでのSiGe型H BTのコレクタ電流を調整できる適応バイアス回路を統合した。パワーアンプICを設計し,作製し,130nm SiGe BiCMOSで測定した。作製したパワーアンプICは26GHzで1.4Vの供給電圧で43.8%のPAEと14.6dBmの出力電力を示した。添加では,電力増幅器ICは20~30GHzから31.1%以上のPAEを持つ12dBmの出力パワーを持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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増幅回路 

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