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J-GLOBAL ID:201702218370786014   整理番号:17A0968983

相補型金属-酸化物-半導体チップ上の完全統合のために開発された多層干渉フィルタの透過測定【Powered by NICT】

Transmission measurements of multilayer interference filters developed for a full integration on Complementary Metal Oxide Semiconductor chips
著者 (8件):
資料名:
巻: 631  ページ: 23-28  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,種々のタイプのCMOSイメージセンサ(周辺光センサ,近接検出,赤,緑,青カラーイメージングなど)の上に集積した完全にするために相補型金属酸化膜半導体(CMOS)互換材料薄層から成る光学フィルタの透過スペクトルを測定する方法を示した。フィルタはCMOSデバイスのトップに蒸着したしなければならないので,チップ上でそれらの応答を正確に評価するために良好なアプローチは,(i)次に最終全バルクシリコンを除去するためのガラスウエハ(iii)に及ぼす構造の直接結合を行うためにSiウエハ(CMOSセンサの場合のように)上のスタック(ii)を達成することである。でこのようにして,多層干渉フィルタの測定したスペクトル応答を示し,ウエハに特に理論計算とその再現性ウエハと透過ピークの一致をチェックできる。フィルタ光学設計を最適化し,開発したフィルタは統合と信頼性の典型的なCMOS要求を満たすことを示すことを可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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光デバイス一般 

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