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J-GLOBAL ID：201702218449809395   整理番号：17A1501784

Ge-Sn(GeSn)のプラズマ酸化の速度論【Powered by NICT】

Kinetics of plasma oxidation of germanium-tin (GeSn)

著者 (8件)： Wang Wei (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore) ,  Lei Dian (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore) ,  Dong Yuan (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore) ,  Zhang Zheng (Institute of Material Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-03, Innovis, 138634, Singapore) ,  Pan Jisheng (Institute of Material Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-03, Innovis, 138634, Singapore) ,  Gong Xiao (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore) ,  Tok Eng-Soon (Department of Physics, National University of Singapore, 117551, Singapore) ,  Yeo Yee-Chia (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 425  ページ： 95-99  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温でGeSnのプラズマ酸化の動力学を調べた。酸化速度は時間の増加と共に初期酸化速度から急速に減少する酸化プロセスは,べき乗則モデルにより記述した。GeSnの酸化速度は,純粋なGeのそれよりも高く,これはGeSn oxide/GeSn界面で高い化学反応速度で説明できた。添加では,界面領域でのSn原子は酸化中の下層Ge原子と位置を交換し,界面近傍のSnO_2~-リッチ酸化物をもたらした。GeSn酸化物のバンドギャップは抽出されたXPSにより5.1±0.2eVであることであり,GeSn oxide/GeSnヘテロ接合における価電子帯オフセットは3.7±0.2eVであることが分かった。制御された焼なまし実験はGeSn酸化物は400°Cまでのアニーリング温度に関して安定であることを実証した。しかし,450°Cでのアニーリング後,GeO_2はGeOに変換され,GeSn oxide/GeSnから脱着する,Sn酸化物を残した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  熱安定性 ,  酸化物 ,  *スズ ,  バンドギャップ ,  *ゲルマニウム ,  焼なまし ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  *速度論 ,  *酸化 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： べき乗則 ,  酸化速度 ,  *プラズマ酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ゲルマニウムスズ ,  プラズマ酸化 ,  バンドアラインメント ,  熱安定性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  Sn ,  プラズマ酸化 ,  速度論