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J-GLOBAL ID：201702218493182934   整理番号：17A1169681

シリコン上のGaNベース高電子移動度トランジスタにおけるRF損失機構:AlN/Si界面での反転チャネルの役割【Powered by NICT】

RF loss mechanisms in GaN-based high-electron-mobility-transistor on silicon: Role of an inversion channel at the AlN/Si interface

著者 (9件)： Luong Tien Tung (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Lumbantoruan Franky (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Chen Yen-Yu (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Ho Yen-Teng (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Weng You-Chen (Institute of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung University, Gaofa 3rd Rd. 301, Tainan City 71150, Taiwan, R.O.C.) ,  Lin Yueh-Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Chang Shane (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Chang Edward-Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Chang Edward-Yi (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201600944  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のAlGaN/GaNH EMTの成長に関連するエピタキシャル問題の一つは,RFデバイス性能に悪影響を与える寄生損失の減少である。GaNベース高電子移動度トランジスタ(HEMT)とシリコン基板上のバッファ層上のコプレーナ導波路(CPW)におけるマイクロ波損失を特性化し,40GHzまで。RF損失は結晶品質のみならず,AlNバッファ中の残留引張応力だけでなく,その厚さに依存する。圧電場によって誘起された界面損失チャネルの機構を考察した。薄い高-低-高温度(HLH)AlNバッファを採用したRF損失の低減に導く引張応力を低減することを援助できる。界面近傍の薄いp型AlNおよび/またはp AlGaN上の薄いAlNは電子界面損失チャネル,GaNH EMTにHR Siは高い周波数範囲と高温動作を維持するのに役立つを抑制できることを示唆する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  圧電気 ,  *ケイ素 ,  *界面 ,  高温 ,  バッファ層 ,  *窒化ガリウム ,  *チャネル ,  コプレーナ導波路 ,  *HEMT ,  引張応力 ,  エピタクシー ,  *電子移動度 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  シリコンウエハ

著者キーワード (9件)： AlN ,  バッファ ,  コプレーナ導波路 ,  GaN ,  高電子移動度 ,  反転層 ,  損失 ,  シリコン ,  トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： シリコン ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  RF ,  損失 ,  AlN ,  Si ,  界面 ,  反転 ,  チャネル ,  役割