文献
J-GLOBAL ID:201702218542420270   整理番号:17A1999691

SCAPS一次元モデルを用いた極薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池性能に及ぼす裏面不動態化機構の影響への取り組み【Powered by NICT】

Addressing the impact of rear surface passivation mechanisms on ultra-thin Cu(In,Ga)Se2 solar cell performances using SCAPS 1-D model
著者 (9件):
資料名:
巻: 157  ページ: 603-613  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
に対処するために(1 D)SCAPSデバイスモデルを提案した(i)表面不動態化機構(すなわち電界効果と化学),(ii)変化CIGS吸収体厚さのためのCIGS太陽電池性能への影響,(iii)固定電荷型(+/ )の重要性と固定および界面トラップ電荷の密度,および(iv)変化CIGS吸収体厚さの実験電池効率(以前に報告された)における離散利得の理由。最初に,信頼性のある装置モデルを得るために,パラメータの提案されたセットをSCAPSシミュレータへの簡単なMIS試験構造と実験的に得られた値(以前に報告された)を用いた電界効果(固定電荷による)と化学的不動態化(界面トラップによる)の両方で検証した。次に,最小正味-Q_f用太陽電池性能の顕著な損失とD_itの最大許容限界のない性能指数の,それぞれ~5×10~12cm~ 2と~1×10~13cm~ 2eV~ 1であることを提供する。次に,特に超薄(<0.5μm)吸収体層を考慮しながら,背面不動態化層(すなわち電界効果不動態化)における負の固定電荷の影響は正の固定電荷(すなわち対電界効果)のそれよりも支配的であることを示した。さらに,界面化学的及び電界効果不動態化機構下で0.5μm以下のCIGS吸収体層を縮小しながら,短絡光電流密度に及ぼす背面反射率の重要性を示した。最後に,超薄CIGS吸収体厚さ(<0.5μm)と20%以上の効率のための最適背面不動態化層パラメータを提供した。これらのシミュレーション結果に基づいて,ナノ点接触法による負に帯電した裏面不動態化は電池性能の増強に効果的であることを確認し,特に,0.5μm以下の吸収体厚さをスケーリングした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る