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J-GLOBAL ID：201702218615990678   整理番号：17A0361459

水冷ジャケットを用いた連続供給Czochralskiシリコン結晶成長における熱伝達の制御【Powered by NICT】

Control of heat transfer in continuous-feeding Czochralski-silicon crystal growth with a water-cooled jacket

著者 (2件)： Zhao Wenhan (Key Laboratory of Thermo-Fluid Science and Engineering, Ministry of Education, School of Energy and Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Liu Lijun (Key Laboratory of Thermo-Fluid Science and Engineering, Ministry of Education, School of Energy and Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 458  ページ： 31-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続Czochralski法は,単結晶シリコンのコストを低減するために有効な方法である。結晶成長速度を促進することにより,コストをさらに低減することができる。しかし,より多くの潜熱が高い結晶成長速度下での融液-結晶界面で放出される。本研究では,水冷ジャケットを適用して融液-結晶界面での熱伝達を促進することであった。準定常状態数値計算を用いて,融液-結晶界面における熱伝達に及ぼす水冷ジャケットの影響を調べることであった。融液-結晶界面での結晶成長プロセス中に放出され,供給ゾーンでの原料融解中に吸収された潜熱はシミュレーションでモデル化した。結果は,水冷ジャケットを用いて,成長結晶における熱伝達が著しく増強されることを示した。溶融結晶界面たわみと熱応力は溶融物 結晶界面で半径方向温度の増加のために同時に増加する。修正熱シールド設計により,融液-結晶界面での熱伝達はよく制御されている。結晶成長速度は20%増加させることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデリング ,  *結晶成長 ,  たわみ ,  計算機シミュレーション ,  数値計算 ,  *熱伝達 ,  熱応力 ,  潜熱 ,  Czochralski法 ,  メルト ,  結晶粒界 ,  *水冷
準シソーラス用語： 融液 ,  結晶成長速度 ,  単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1計算機シミュレーション ,  A2連続供給回転引上げ法 ,  A1伝熱促進 ,  B2半導体シリコン ,  A1応力

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水冷ジャケット ,  連続供給 ,  シリコン ,  結晶成長 ,  熱伝達