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J-GLOBAL ID：201702218736402682   整理番号：17A0964023

量子H all効果の普遍性試験のためのSn BSTSトポロジカル絶縁体の調製と特性化【Powered by NICT】

Preparation and Characterization of Sn-BSTS Topological Insulator for Universality Test of the Quantum Hall Effect

著者 (7件)： Misawa Tetsuro (National Metrology Institute of Japan, AIST, Tsukuba, Japan) ,  Fukuyama Yasuhiro (National Metrology Institute of Japan, AIST, Tsukuba, Japan) ,  Okazaki Yuma (National Metrology Institute of Japan, AIST, Tsukuba, Japan) ,  Nakamura Shuji (National Metrology Institute of Japan, AIST, Tsukuba, Japan) ,  Nasaka Nariaki (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Sasagawa Takao (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan) ,  Kaneko Nobu-Hisa (National Metrology Institute of Japan, AIST, Tsukuba, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement  (IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement)
巻： 66  号： 6  ページ： 1489-1495  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0232A  ISSN： 0018-9456  CODEN： IEIMAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn_0 0.02Bi_1 0.08Sb_0 9Te_2Sの単結晶を成長させ,それらの輸送特性をトポロジカル絶縁体の金属表面状態に及ぼす量子H all効果を正確に測定するために評価した。バルク試料の電気抵抗の温度依存性を決定した。材料中の伝導は内部バルク伝導と金属表面伝導の並列性により説明される。低温度では,表面伝導は二の主要な一つである。適切な電荷キャリア制御による材料の薄いフレークを測定するために,材料は従来のリソグラフィー法を用いた測定装置に加工される。デバイス評価についても紹介した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フレーク ,  単結晶 ,  *普遍性 ,  リソグラフィー ,  低温 ,  計測器 ,  *キャラクタリゼーション ,  温度依存性 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  表面伝導 ,  金属表面 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 量子 ,  ALL ,  普遍性 ,  試験 ,  Sn ,  トポロジカル絶縁体 ,  調製 ,  特性化