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J-GLOBAL ID:201702219160258517   整理番号:17A1383947

アニーリング圧は非晶質SiO_2/Si基板上のコバルトフェライト薄膜におけるイオン移動を誘導する【Powered by NICT】

Annealing pressure induced ions transfer in Cobalt-Ferrite thin films on amorphous SiO2/Si substrates
著者 (9件):
資料名:
巻: 441  ページ: 537-541  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0644A  ISSN: 0304-8853  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,コバルトフェライト(CFO)膜を種々のアニーリング条件でパルスレーザ蒸着(PLD)により300nm非晶質二酸化けい素をもつシリコン基板上に成長させた。構造解析の結果は,CFO膜は(111)優先配向の高結晶品質をもつことを証明した。ラマンスペクトルとX線吸収スペクトル(XAS)は,Coイオンがアニーリング圧力の増加と共に四面体サイトから八面体サイトにできることを示した。CoとFeイオンのサイト交換はCFO膜の飽和磁化の変化をもたらした。著者らの実験は,CFO膜の磁性,シリコンと半導体ベーススピントロニクスデバイスを開発するための適切な磁性層を制御する方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物結晶の磁性  ,  酸化物薄膜 

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