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J-GLOBAL ID：201702219664376703   整理番号：17A1646168

FinFET SCR:オンチップESD保護のための設計課題と新しいフィンSCRアプローチ【Powered by NICT】

FinFET SCR: Design challenges and novel fin SCR approaches for on-chip ESD protection

著者 (5件)： Paul Milova (Advanced Nanoelectronic Device & Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Kumar B. Sampath (Advanced Nanoelectronic Device & Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India) ,  Russ Christian (Intel Deutschland GmbH, Am Campeon 10-12, 85579, Neubiberg, Germany) ,  Gossner Harald (Intel Deutschland GmbH, Am Campeon 10-12, 85579, Neubiberg, Germany) ,  Shrivastava Mayank (Advanced Nanoelectronic Device & Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012 India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EOS/ESD  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,TCADの助けを借りて平面等価フィンSCRデバイスにおける失われたSCR作用への物理的洞察を提示したが,これはフィンSCRの設計において影響を探索課題と基本的な障害を持っている。フィン技術における接触シリサイド化の重要な役割を発見した。新たな理解を工学従来の設計はSCR作用を再開することができた。最後に,新しいフィンSCR設計を明らかにした,これはデバイススケーラビリティに加えて面積効率の良い電流伝導を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *フィン ,  ケイ化物
準シソーラス用語： 面積効率 ,  TCAD ,  *ESD保護 ,  *オンチップ ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： FinFET ,  SCR ,  オンチップ ,  ESD保護 ,  設計 ,  フィン