直線的に増加する電圧による注入電荷抽出を用いたヘテロ構造Cu2S-In2S3ナノ結晶膜の温度依存電荷キャリアダイナミクス

Bi Ke; Sui Ning; Wang Yinghui; Zhang Liquan; Liu Qinghui; Tan Mingrui; Zhang Hanzhuang

文献

J-GLOBAL ID：201702219770222383 整理番号：17A0284686

直線的に増加する電圧による注入電荷抽出を用いたヘテロ構造Cu₂S-In₂S₃ナノ結晶膜の温度依存電荷キャリアダイナミクス

Temperature-dependent charge carrier dynamics investigation of heterostructured Cu₂S-In₂S₃ nanocrystals films using injected charge extraction by linearly increasing voltage

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Bi Ke

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(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 110 号： 8 ページ： 083104-083104-5 発行年： 2017年02月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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