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J-GLOBAL ID:201702219830484772   整理番号:17A1360440

Ag1-xSn1-xSe2(x=0~0.0,0.1,0.2,0.25および1.0)の電子構造【Powered by NICT】

The electronic structure of Ag1-xSn1+xSe2 (x = 0.0, 0.1, 0.2, 0.25 and 1.0)
著者 (14件):
資料名:
巻: 19  号: 39  ページ: 26672-26678  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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X線吸収分光法(XAS)およびX線光電子分光法(XPS)測定の複合解析によるAg1-xSn1+xSe2(x=0.0,0.1,0.2,0.25)とSnSe(x=1.0)の価電子構造を調べた。0≦x≦0.25(即ちSnが過剰)の場合の系でXASとXPSとはともに電子キャリアの増加を明らかにした。内殻準位(Snの3d,Agの3d,Seの3d)スペクトルはAgの電荷状態はほぼ1+であるが,SnのそれはSn2+とSn4+に分裂する(初めての原子価スキッピングの明確な証拠を与える)こと,同時にSeがSe2-とSe2-δ状態に分裂することを示した。SnとSeの分裂成分のx依存性はSeのK端XASと共にSe原子価状態がこの系の輸送特性に重要な役割を持つ可能性があることを明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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塩  ,  絶縁体結晶の電子構造 
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