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J-GLOBAL ID：201702219875623813   整理番号：17A1727332

歪FDSOIの性能に及ぼす連続RX影響の高速評価【Powered by NICT】

Fast evaluation of continuous-RX impact on performance for strained FDSOI

著者 (4件)： Lacord J. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Jaud M.-A. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Poiroux T. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Barbe J.-Ch. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble France, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 361-364  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UTBB FDSOIデバイス性能は応力工学により増強され,特にpMOSにおけるSiGeチャネルをによりできる[1]。SiGeチャンネルは強い局所レイアウト効果[2]は主にSTIプロセス[2]中の応力緩和に起因して誘導する。本研究では,標準的な活性領域だけでなく連続RX設計構造における応力緩和を評価するためにTCADシミュレーション方法論を提案した。最後に,解析モデルを連続RX設計構造性能を評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析モデル ,  チャネル ,  *高速度 ,  応力緩和 ,  活性部位
準シソーラス用語： TCAD ,  シリコンゲルマニウム ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 歪 ,  FDSOI ,  評価