文献

J-GLOBAL ID：201702220037315408   整理番号：17A1739089

o-TaS₃における電荷密度波の異方性磁気抵抗

Anisotropic magnetoresistance of charge-density wave in o-TaS₃

著者 (6件)： INAGAKI Katsuhiko (Asahikawa Medical Univ., Asahikawa, JPN) ,  MATSUURA Toru (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TSUBOTA Masakatsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  UJI Shinya (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  HONMA Tatsuya (Asahikawa Medical Univ., Asahikawa, JPN) ,  TANDA Satoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 93  号： 7  ページ： 075423.1-075423.4  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *タンタル化合物 ,  *硫化物 ,  *電荷密度波 ,  *磁気抵抗 ,  ホイスカ ,  電流電圧特性 ,  角度依存性 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *硫化タンタル
準シソーラス用語： *異方性磁気抵抗

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： TaS3 ,  電荷密度波 ,  異方性磁気抵抗