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J-GLOBAL ID：201702220038873072   整理番号：17A1557644

リンδドープした隣接閉じ込め構造を有するGe量子ドットからの発光増強【Powered by NICT】

Light emission enhancement from Ge quantum dots with phosphorous δ-doped neighboring confinement structures

著者 (6件)： Sawano K. (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan) ,  Nakama T. (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan) ,  Mizutani K. (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan) ,  Harada N. (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan) ,  Xu X. (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan) ,  Maruizumi T. (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 477  ページ： 131-134  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面での電子の強い閉じ込めはドーピングによって実現できるので,ゲルマニウム(Ge)量子ドット(QD)からの室温光ルミネセンス強度はGe QDs/Si界面でのリン(P)のδドーピングによる高度に増強された。シャープなプロフィルでδドーピングに必須である,ドープしたP原子の表面偏析の抑制は,Pドーピング後のGe QDとスペーサSi層の成長温度の制御により実現した。,高効率発光素子を最適n型ドーピングと成長条件とGe量子ドットに基づいて実現できると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  光ルミネセンス ,  スペーサ ,  *発光 ,  *δドーピング ,  ケイ素 ,  界面 ,  *ドーピング ,  *ゲルマニウム ,  表面偏析 ,  n型ドーピング ,  発光素子 ,  成長温度
準シソーラス用語： 成長条件 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1低次元構造 ,  A3量子井戸 ,  B2半導性ゲルマニウム ,  B2半導性けい素化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： リン ,  δドープ ,  閉じ込め ,  Ge ,  量子ドット ,  増強