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J-GLOBAL ID：201702220055673907   整理番号：17A0128558

高誘電率結晶酸化物/Geヘテロ界面の高安定化と高速半導体素子の開発

著者 (1件)： 金島岳 (大阪大)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 30-2  ページ： 201-208  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの微細化が進む中,さらなる高性能化のために,低リーク・低消費電力の観点より誘電率の高い絶縁体(high-kゲート絶縁膜)と,高速・低電圧化のため,電子・正孔ともに高い移動度をもつ半導体ゲルマニウム(Ge)からなるトランジスタへの期待が高まっている。本論文では,パルスレーザ蒸着法(PLD)を用いてGe(111)基板上に比較的低温で誘電率の高いLa₂O₃膜をエピタキシャル成長することに成功した。そしてLa₂O₃に比べ耐湿性の高いLuおよびY-dopedLa₂O₃薄膜をLa₂O₃/Ge上にエピタキシャル成長することで,良好なLa₂O₃/Ge界面と高い耐湿性を実現した。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  *誘電率 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *ゲルマニウム ,  *MISFET ,  *キャリア移動度 ,  キャリア捕獲 ,  非晶質半導体 ,  *酸化ゲルマニウム ,  半導体素子 ,  *エピタクシー ,  膜厚 ,  *酸化ランタン ,  構造解析 ,  容量電圧特性 ,  ルテチウム ,  イットリウム ,  ドーピング ,  不動態皮膜 ,  結晶構造 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  MIS構造 ,  耐湿性 ,  優先配向
準シソーラス用語： ヘテロ界面 ,  電子移動度 ,  正孔移動度 ,  界面トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) (2013) .
• F. Bellenger, M. Houssa, A. Delabie, V. V. Afanas'ev, T. Conard, M. Caymax, M. Meuris, K. De Meyer, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc. 155, G33 (2008) .
• S. N. A. Murad, P. T. Baine, D. W. McNeil, S. J. N. Mitchell, B. M. Armstrong, M. Modreanu, G. Hughes, and R. K. Chellappan, Solid State Electron 78, 136 (2012) .
• X. Zhang, H. Tu, F. Wei, Y. Xiong, M. Yang, H. Zhao, J. Du, and W. Wang, J. Rare Earths 31, 1092 (2013) .
• F. Wei, H. Tu, and J. Du, J. Phys. D Appl. Phys. 42, 185301 (2009) .

タイトルに関連する用語 (8件)： 高誘電率 ,  結晶 ,  酸化物 ,  Ge ,  ヘテロ界面 ,  安定化 ,  半導体素子 ,  開発