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J-GLOBAL ID：201702220080864305   整理番号：17A0369657

CuAlO_薄膜の抵抗スイッチング挙動に及ぼす酸素空格子点と膜結晶化の影響【Powered by NICT】

Oxygen vacancy and film crystallization effects on resistive switching behaviors of CuAlO thin films

著者 (3件)： Lin Yow-Jon (Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  Lin Yow-Jon (Frontier Photonics Research Center, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  Chu Yu-Ju (Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 691  ページ： 263-268  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： O_2/Arの異なるガス流比の下でrfマグネトロンスパッタリングにより作製したn型CuAlO_薄膜の抵抗スイッチング特性をこの研究で調べた。O_2/Ar速度に及ぼす抵抗スイッチングの依存性を見出した。伝導機構は,最近接ホッピングと可変飛程ホッピング伝導として記述することができた。高または低抵抗状態(HRSまたはLRS)では,電気抵抗は温度上昇とともに減少し,半導体的挙動を示した。酸素空格子点(V_O)の移動によるHRSからLRSへ転移がV_Oトラップサイトを介して仲介される電子ホッピングと関連している。の知見は,酸化物ベースのメモリデバイスの最適化を達成する中の酸素空格子点と膜結晶度の数の同時制御の重要性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶化 ,  最適化 ,  ホッピング伝導 ,  *薄膜 ,  気体流 ,  結晶度 ,  酸化物 ,  マグネトロンスパッタリング ,  昇温 ,  記憶装置
準シソーラス用語： 電子ホッピング ,  可変領域ホッピング ,  伝導機構 ,  *酸素空格子点 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  Oxides ,  欠陥 ,  抵抗スイッチング ,  電気的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  酸素空格子点 ,  結晶化