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J-GLOBAL ID:201702220084336904   整理番号:17A1721411

エーロゾル堆積法により形成された酸化イットリウム膜のプラズマ照射挙動【Powered by NICT】

Plasma Exposure Behavior of Yttrium Oxide Film Formed by Aerosol Deposition Method
著者 (2件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 357-361  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0521A  ISSN: 0894-6507  CODEN: ITSMED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エアロゾルデポジション(AD)法は室温で基板材料表面上に高密度セラミック膜を形成するための技術である。AD法(AD Y_2O_3膜)により形成された酸化イットリウム膜はプラズマエッチング装置に用いるプラズマ抵抗被覆として開発されている。近年,エッチング装置のチャンバー成分からプラズマ侵食された粒子は半導体デバイス収率を低下させる重大な問題と見なされている。優れたプラズマ抵抗を持つAD Y_2O_3膜はプラズマエッチング装置における侵食された粒子を減少させることができる,高集積半導体素子製造に大きく貢献した。本論文では,AD Y_2O_3膜はプラズマ抵抗材料として優れていた理由を明らかにするためにAD Y_2O_3膜のプラズマエロージョン挙動は焼結Al_2O_3,焼結Y_2O_3と熱スプレイY_2O_3と比較した。AD Y_2O_3膜のプラズマエッチング速度は他の試料から有意差はなかった。エッチング速度は材料のフッ素プラズマへの化学的安定性に依存することを仮定した。一方,AD Y_2O_3膜のプラズマ照射の前と後の表面粗さの違いは他の試料よりもはるかに小さかった。表面粗さの相違はこの材料の結晶サイズに依存すると仮定した。,高密度でナノ結晶構造を持つ,AD Y_2O_3膜の構造は均一かつ滑らかに侵食された。AD Y_2O_3膜は大きな侵食された粒子を生成しないことを示唆するとエッチング装置における侵食された微粒子を減少させるが優れている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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固体デバイス製造技術一般 
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