Budagosky J.A. について
Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain について
Garro N. について
Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain について
Cros A. について
Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain について
Garcia-Cristobal A. について
Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain について
Founta S. について
CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” Group, F-38000 Grenoble, France について
Daudin B. について
CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” Group, F-38000 Grenoble, France について
Materials Science in Semiconductor Processing について
量子ドット について
モデリング について
積層欠陥 について
Stark効果 について
閃亜鉛鉱 について
窒化ガリウム について
包有物 について
光ルミネセンス について
窒化アルミニウム について
極性 について
非極性 について
単分子層 について
理論モデル について
内部電場 について
ウルツ鉱 について
非極性量子ドット について
光ルミネセンス について
電子構造 について
Stark効果 について
積層欠陥 について
固体デバイス材料 について
再版 について
非極性 について
成長 について
ウルツ鉱 について
GaN について
AlN について
量子ドット について
光学的性質 について
内部電場 について
還元 について
積層欠陥 について