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J-GLOBAL ID：201702220174313928   整理番号：17A1364079

フラックス法によって成長されたWTe₂の磁気抵抗

著者 (9件)： 津村公平 (産業技術総合研) ,  矢野力三 (産業技術総合研) ,  小柳正男 (産業技術総合研) ,  柏谷裕美 (産業技術総合研) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (東大 生産技研) ,  並木宏允 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  柏谷聡 (産業技術総合研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 2  ページ： ROMBUNNO.21pB32-7  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *タングステン化合物 ,  *テルル化物 ,  フラックス法 ,  *磁気抵抗 ,  結晶成長 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  絶縁体 ,  化合物半導体 ,  トポロジカル絶縁体 ,  *テルル化タングステン ,  遷移金属ダイカルコゲナイド
準シソーラス用語： 遷移金属二カルコゲン化物

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： フラックス法 ,  成長 ,  磁気抵抗