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J-GLOBAL ID：201702220185782419   整理番号：17A1995692

トリハライド気相成長法によるGaN高温厚膜成長

High temperature thick GaN growth by tri-halide vapor phase epitaxy

著者 (6件)： 村上尚 (東京農工大 大学院) ,  竹川直 (東京農工大 大学院) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院) ,  山口晃 (大陽日酸) ,  松本功 (大陽日酸) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 46th  ページ： ROMBUNNO.27a-C02  発行年： 2017年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  高温 ,  *厚膜 ,  *気相成長 ,  ハロゲン化物 ,  塩化ガリウム ,  アンモニア ,  成長速度 ,  X線分析 ,  ロッキングカーブ ,  格子欠陥

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： トリ ,  ハライド ,  気相成長 ,  GaN ,  膜成長