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J-GLOBAL ID：201702220214909897   整理番号：17A0911467

ZrO_2破壊経路のTiN媒介マルチレベル負の光伝導【Powered by NICT】

TiN-Mediated Multi-Level Negative Photoconductance of the ZrO₂ Breakdown Path

著者 (3件)： Zhou Yu (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Kawashima Tomohito (Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation, Yokohama, Japan) ,  Ang Diing Shenp (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 3  ページ： 188-192  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZrO_2絶縁破壊経路の非揮発性負の光伝導率(NPC)応答は光曝露前のTiN電極に正電圧バイアスの反復適用により抑制されまたは調整異なるレベルにできる新しい証拠を提示した。負電圧バイアスはこのような同調効果を生産しないが再破壊段階の前に正の電圧バイアスにより抑制されNPC応答を回復させることができる。非金属(Si)電極を持つ試料では,NPC同調効果が無い正バイアスTiN電極は,同調効果を生じるのに必要であることを示している。正電圧を絶縁破壊経路における空孔サイトへのTiイオンの移動を誘発する可能性があるという仮説を立てた。これは,格子間原子-空格子点欠陥対の光支援再結合を防ぎ,変調NPC応答をもたらした。負電圧バイアスをTiイオンを放出する電極に戻るとNPC応答を回復させた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チタン ,  絶縁破壊 ,  再結合 ,  バイアス ,  イオン ,  非揮発性 ,  格子間原子 ,  同調 ,  *光伝導 ,  点欠陥 ,  電圧
準シソーラス用語： 負電圧 ,  光曝露 ,  マルチレベル ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 破壊 ,  経路 ,  TiN ,  マルチレベル ,  光伝導