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J-GLOBAL ID：201702220258179559   整理番号：17A1430111

株による1T ZrS_2単分子層の電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure in 1T-ZrS₂ monolayer by strain

著者 (6件)： Xin Qianqian (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Zhao Xu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Ma Xu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Wu Ninghua (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Liu Xiaomeng (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Wei Shuyi (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 93  ページ： 87-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は 10%から15%への二軸歪と1T ZrS_2単分子層の電子構造を報告し,第一原理計算に基づく。計算結果から,ZrS_2単分子層のバンド構造は明らかに変化したことを示した。伝導帯極小(CBM)と価電子帯最大(VBM)の位置は等方性歪の変化と共に変化した。圧縮歪では,CBMとVBMの位置は,MとΓ点で保持した。圧縮歪は0%から 8%に増加するとZrS_2単分子層のバンドギャップは1.111eVから0eVまで減少し,これはZrS_2単分子層は 8%の圧縮歪で金属になることを意味している。引張歪の下で,ZrS_2単分子層も間接バンドギャップ半導体である保持していた。CBMの位置はMからΓ点に移動し,VBMの位置はΓA KΓ方向に沿って移動する。ZrS_2単分子層のバンドギャップは初め増加し,次いで減少し,最大のバンドギャップは引張歪6%で1.577eVであった。圧縮歪である1T ZrS_2単分子層の変調バンドギャップ中の引張歪よりも効果的で見ることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  価電子バンド ,  *単分子層 ,  計算 ,  等方性 ,  *電子構造 ,  半導体 ,  バンド構造
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  引張歪 ,  圧縮歪 ,  第一原理計算 ,  二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  電子バンド構造 ,  第一原理

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 株 ,  単分子層 ,  電子構造