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J-GLOBAL ID：201702220421865677   整理番号：17A0475062

シリコンナノ結晶のドーピング【Powered by NICT】

Doping of silicon nanocrystals

著者 (3件)： Arduca Elisa (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via Olivetti 2, Agrate Brianza, Italy) ,  Arduca Elisa (Universita degli studi di Milano, Via Celoria 16, 20133 Milano, Italy) ,  Perego Michele (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via Olivetti 2, Agrate Brianza, Italy)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 156-170  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数十年にわたってシリコンナノ結晶(Si NCs)は強い研究活動の主題であるそれらの光学的および電子的性質に起因していた。異なる実験的アプローチが誘電体マトリックス中に埋め込まれたSi NCと同様に良く制御された構造及び形態学的特性をもつ自立Si NCsを合成するために開発した。バルク半導体の場合のように,それらの光学的および電子的性質の微調整が制御ドーピング,すなわちこれらのナノ構造中不純物原子に効果的な能力に関係している。p型及びn型ドーパントを組み込んだSi NCsを成功裏に合成したとしても,いくつかの基本的問題を理解する必要がある。まず第一に,構造的見地から,Si NCs表面とコアとの関係で,ドーパント位置に関する情報を得ることは非常に困難である。この不確実性は,合成のおよびドープしたSi NCの解析のための実験アプローチの固有の限界,あるいはこれらのナノ構造のモデル化の困難さに関連している。さらに,基礎的観点から,Si NCs中の不純物混入はバルクシリコンの場合のように自由電荷キャリアの発生をもたらす効果的かどうかは明らかではない。本総説は,この分野における最近の進歩の概要を示し,Si NCのドーピングに関連した最新の結果に焦点を当てた。特にSi NCへの不純物の熱力学的安定性とSi NCの電気的性質の変調の問題の問題を系統的に検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  熱力学的安定度 ,  不確実性 ,  ナノ構造 ,  *ドーピング ,  モルフォロジー ,  不純物 ,  *ナノ結晶 ,  モデリング ,  文献展望 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  バルクシリコン ,  研究活動 ,  *ナノ結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ドーピング ,  シリコン ,  ナノ結晶 ,  マイクロエレクトロニクス ,  リン ,  ほう素

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンナノ結晶 ,  ドーピング